Ключ. слова: многоэлементный, фотоприемное устройство, алмаз, ультрафиолетовое излучение.
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-06

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены импульсные преобразователи постоянного напряжения модульной структуры с автотрансформаторным включением дросселя с граничным режимом функционирования при асимметрии электрических процессов. Получены обобщенные для восьми типов силовых каналов соотношения для расчета токов в элементах схем при неидентичности электрических параметров их дросселей.

The features of the asymmetric electrical processes in pulse converters of constant voltage of modular structure with autotransformer connection of an among choke with limit Ц discontinuous mode of operation are surveyed. The ratios generalized for eight types of the powered channels are got for the calculation of currents in the elements of the schemes at no identity of electrical parameters of their among inductors.

С помощью современных методов исследована сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах "кремний-диоксид кремния". Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. Показано влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния.

The near-surface silicon layers in silicon Ц dioxide silicon systems with modern methods of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. It is shown the influence of initial defects on mechanical stress and deformation distribution in oxidized silicon.

Предложен неитерационный численный метод расчета зависимости барьерной емкости ионно-имплантированных структур GaAs от напряжения на барьере Шоттки. Выявлены особенности низко- и высокочастотной вольт-фарадной характеристики этих структур, обусловленные наличием глубоких центров захвата.

A noniterative numerical method is proposed to calculate the barrier capacitance of GaAs ion- implanted structures as a function of the Schottky barrier bias. The features of the low- and high- frequency capacitance-voltage characteristics of these structures which are due to the presence of deep traps are elucidated.

Для калибровки по яркости прецизионных фотометрических приборов с многоэлементными приемниками излучения предложено использовать излучатели на базе широко распространенных в Украине галогенных ламп и молочных рассеивателей. Показано, что параметры яркостного поля, формируемого таким излучателем, намного превосходят параметры ленточных ламп и аналогичных источников излучения. Предложен математический аппарат и инженерная методика расчета разработанного излучателя по заданным параметрам и приведены рекомендации по выбору его основных элементов для конкретных измерительных задач. Экспериментально показана высокая стабильность излучателя и высокая точность его аттестации при использовании отечественного яркометра ТЕС 0693.

The paper represents the results of analytical and experimental research of spatial radiance distribution made by the system лfilament of halogen lamp Ц diffusive element».

Рассмотрена возможность получения эффективных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) III поколения. Исследованы гетероструктуры на основе GaAs c квантовыми точками (КТ) InAs, полученными в процессе жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова. Характеристики ФЭП, изготовленных на основе гетероструктур, содержащих КТ в области рЦп-перехода, уступают контрольным фотопреобразователям, изготовленным на таких же структурах, но без КТ. Фотопреобразователи, содержащие КТ в р-области, не уступают контрольным и даже являются несколько лучшими.

Heterostructures based on GaAs with InAs quantum dots obtained in the process of liquid-phase epitaxy by the method of pulse cooling of saturated solution in indium or heterostructures containing quantum dots in the area of the pЦn-junction were much worse than control solar cells manufactured on the same structures but without quantum dots. Solar cells containing quantum dots in the p-region were slightly better than control solar cells.

Предлагаемый датчик позволяет создать системы для беспроводного дистанционного контроля температуры в труднодоступных местах, а также различных биологических объектов.

Исследованы зависимости яркости тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов (ЭИ) от состава активного материала, от напряжения и частоты источника электрического питания. Выбран оптимальный состав активного материала, разработан специальный источник питания, который позволяет повысить эффективность восприятия информации за счет автоматической подстройки яркости свечения в зависимости от уровня освещенности и, как следствие, повысить срок службы и эргономические показатели системы отображения информации.

Dependence of brightness of thin-film electroluminescent indicators from structure of an active material and voltage and frequency of an electric source are investigated. By results of researche the optimum structure of an active material is chosen, the special power supply is developed.

Разработана математическая модель ВАХ оптоэлектронной пары "фотодиоды-ДМОП-транзистор", которая позволяет установить взаимосвязь ее электрических параметров с конструктивными и электрофизическими параметрами фотодиодов и ДМОП-транзисторов. Предложена конструкция интегрального оптоэлектронного коммутатора на ДМОП-транзисторах на структурах "кремний с диэлектрической изоляцией". При этом возможно оптическое управление исполнительными устройствами, включенными как в истоковую, так и в стоковую цепь ключевого транзистора.

The characteristics of optoelectronic couples photodiodes-DMOS-transistor are studied in the paper. There was developed a mathematical model of volt-ampere characteristic of the given optoelectronic couple which allows to determine interrelation of its electric parameters with constructive and electrophysical parameters of photodiodes and DMOS-transistors. There was suggested a construction of integral optoelectronic switch, based on DMOS-transistors on the silicon with dielectric insulation structures (SDIS). Possible is the optic control of executive devices, connected both to the source and drain circuits of the switching transistor.

Предложен набор параметров химического источника тока, необходимых для программирования режима его адаптивной зарядки, получаемых методом хронопотенциометрического анализа отклика конкретного источника на импульсное воздействие.

It is offered the chrono-potentiometric method of control of the state of chemical sources of current (CSC), allowing from chrono-potentiogram (CPG), representing CSC reaction on the charge current impulse, to get practically all informative parameters, necessary for practical realization of adaptive charge.

Рассмотрена конструкция испарителя, предназначенного для напыления материалов в вакуумно-напылительных установках, который успешно эксплуатируется в технологическом процессе изготовления арсенид-галлиевых транзисторов, диодов и монолитных схем.

The evaporator design for vacuum deposition of materials in vacuum-deposition installations has considered.

Показано, что нестабильность работы операционных усилителей в схемах емкостных драйверов обусловлена значительным фазовым сдвигом в цепи отрицательной обратной связи, следствием чего являются генерационные процессы. Разработан и исследован драйвер для работы с емкостной нагрузкой более 10 нФ, развязывающий выход операционных усилителей от реактивной нагрузки, обеспечивая этим высокую стабильность работы схемы.

Driver for capacitance loads more than 10 nF is developed and investigated. Driver provides high operational stability of the transducer by decoupling operational amplifier output from reactive load.

Исследование воздействия быстрых электронов и нейтронов проведено на микросборках, предназначенных для измерения и стабилизации температуры первичных преобразователей неэлектрических величин, у которых передаточная характеристика зависит от температуры. Обнаружена достаточно высокая стойкость основных параметров микросхем к такому воздействию. Показаны причины изменений некоторых параметров под действием названных излучений.

The research of influence fast electrons and neutrons is carried out on microassembly intended for measurement and stabilization of temperature of primary converters of not electrical quantities, at which the transfer characteristic depends on temperature. The high enough stability of the basic parameters of microcircuits to such influence is found out. The reasons of changes of some parameters under action of the named radiations are shown.

Ключ. слова: сенсор, температура, диод, GaP.
Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложен метод конструкторского синтеза источника вращающихся магнитных полей на основе комбинации трех взаимно ортогональных соленоидальных контуров, запитываемых переменным током. Показана возможность построения магнитоформирующей системы с изменяющимся направлением вращения магнитного поля, позволяющей в практических реализациях учесть хиральную дисимметричность молекул веществ, подлежащих обработке магнитным полем.

The method of synthesis of the rotating magnetic fields, created by combination of three mutually perpendicular solenoidal contours power supplied by an alternating current, is discussed. Possibility of construction of the magnetoforming system with changing direction of the magnetic field rotation, allowing in practical realization to take into account the chiral dissymmetry of molecules of matters, subject to treatment by the magnetic field, is shown.

Предложена структурная схема построения радиотехнических систем охраны периметров крупных объектов с точки зрения полноты решаемых функциональных задач. Любая конкретная структура системы защиты периметра объекта может быть представлена как частный случай рассмотренной схемы.

In the last time the increase of interest to creation of Protection Complexes, both big and small objects, is observed. This fact, alongside with perfection of the hard-&-software used at their realization, confirms an urgency of a problem considered in the article. Having analyzed the basic technical requirements to electronic systems of perimeters protection of large objects as one of systems of the Protection Complex, the authors offer the typical block diagram of its construction in this article. The offered typical block diagram allows optimizing choice of elements of structure of the systems when solving the specific problems of objects protection.

Проведены экспериментальные исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде, разработана функциональная модель взаимодействия акустической и оптической импульсных последовательностей в апертуре акустооптического модулятора, соответствующая макету экспериментальной установки. Экспериментальные данные подтверждают результаты моделирования и позволяют сделать вывод о корректности и адекватности предложенной модели.

The experimental investigations of space-time integration within the acoustic-optical media were conducted, the functional model of acoustic and optical pulse patterns interaction within the acoustic- optical modulatorТs aperture was designed with correspondence to the experimental set-up. Experimental and modeling results are in agreement, so the conclusion about the accuracy and validity of proposed model.

Дано описание методики и результаты моделирования нестационарных тепловых режимов работы радиоэлектронных элементов блока СИД-3-148, установленного в подкапотном пространстве двигателя Д-436-148. Моделирование выполнено по данным термометрирования, полученным при сертификационных испытаниях самолета Ан-148. Задача сведена к системе обыкновенных дифференциальных нелинейных неоднородных уравнений, решаемой в матричной форме.

The description of mathematical simulation technique and results of block SID-3-148 radioelectronic elements thermal operation conditions is given. Block is established on plane An-148 under engine D-

Предложен подход к компьютерному проектированию в сети Интернет. Приведено описание аппаратно-программного комплекса GUI (Graphical User Interface)-SUPREM III для организации проектирования и моделирования технологии в микроэлектронике в глобальной сети Интернет. Основой модуля является программный комплекс SUPREM III, предназначенный для моделирования и проектирования технологических операций формирования структурных элементов интегральных микросхем.

An approach for computer design in electronics within Internet has been proposed. The developed software of GUI (Graphical User Interface)-SUPREM III has been described in the paper. It is oriented for carrying out design projects and modeling technology in microelectronics using Internet as the global net.

Показана возможность использования микроконтроллеров Atmel ATMega для сопряжения сенсорных устройств с компьютерными системами. На основе микроконтроллера Atmel ATMega16 разработана многоканальная система обработки информации для тензорезистивных первичных преобразователей сигнала, в которой существенно увеличено количество измерительных каналов.

Possibility of Atmel ATMega microcontrollers use was shown for the interfacing of sensors devices with the modern computer systems. On the basis of Atmel ATMega16 microcontroller the multichannel system of treatment of information was developed for strain gauges, in which the amount of measuring channels is substantially in- creased.